Конфигурируемый характериограф Keithley PCT

Производитель: Keithley Instruments

Заказать

Конфигурируемый характериограф Keithley PCT это готовая система для тестирования полупроводниковых устройств высокой мощности, включающая в себя высокого качества измерительные приборы, кабели, тестовые оснастки и ПО. Для заказа доступно 7 готовых конфигураций, каждая из которых обеспечивает построение графиков ВАХ и ВФХ в режиме реального времени для быстрого измерения основных параметров устройства, такие как напряжение пробоя и полный параметрический расчет характеристик устройства.

Краткие характеристики:

  • Конфигурируемые диапазоны уровня мощности:
    • От 200 В до 3 кВ
    • От 1 фА до 100 А
  • Широкий динамический даиапзон:
    • От мкВ до 3 кВ
    • От фА до 100 А
  • Метод измерения вольт-фарадной характеристики:
    • ±400 В многочастотное измерение вольт-фарадных характеристик
    • 20 В низкочастотный метод измерения вольт-фарадной характеристики
  • Измерение вольт-амперной характеристики на постоянном токе и импульсном до 50 мкс
  • Оба канала высокого напряжения и высокого тока имеют прецизионный АЦП разрядностью 24 бита (18 бит в режиме высокой скорости дискретизации (1 мкс))

Применение:

  • Снятие характеристик мощных полупроводниковых устройств
  • Снятие характеристик GaN и SiC, LDMOS и др устройств
  • Проверка надежности мощных устройств
  • Входной контроль и квалификационные испытания

 
ACS Basic Edition Software quickly captures output characteristics of an IGBT device.

Configuration Selector Guide
Model 1 Collector/ Drain Supply 2 Step Generator
Base/Gate Supply
Auxiliary Supply
High Voltage Mode High Current Mode
Low Power 2600-PCT-1 200 V/10 A 200 V/10 A 200 V/10 A N/A
High Current 2600-PCT-2 200 V/10 A 40 V/50 A 200 V/10 A 200 V/10 A
4200-PCT-2 plus C-V 200 V/1 A 40 V/50 A 200 V/1 A 200 V/1 A
High Voltage 2600-PCT-3 3 kV/120 mA 200 V/10 A 200 V/10 A 200 V/10 A
4200-PCT-3 plus C-V 3 kV/120 mA 200 V/1 A 200 V/1 A 200 V/1 A
High Current and
High Voltage
2600-PCT-4 3 kV/120 mA 40 V/50 A 200 V/10 A 200 V/10 A
4200-PCT-4 plus C-V 3 kV/120 mA 40 V/50 A 200 V/1 A 200 V/1 A
1. Contact your Keithley field applications engineer for custom configurations
2. Add a Model 2651A to increase High Current Mode to either 50A or 100A.
Typical Power Transistor Parameters
Parameter symbol Test Method 1 Maximum range Typical best resolution Typical accuracy
Breakdown Voltage Bvdss, Bvceo Id–Vd or Id (pulse) ±3000 V 2 100 µV, 10 fA 0 .05% rdg + 0 .05% rng
On-State Current (DC) Vdson, Vcesat, Vf Id–Vd ±20 A 4  , Optional: ±40 A 4 100 nA, 1 µV 0 .05% rdg + 0 .05% rng
On-State Current (Pulse) Vdson, Vcesat, Vf Id–Vd ±50 A 4, Optional: ±100 A4 100 µA, 1 µV 0 .05% rdg + 0 .05% rng
Drain/Collector  Leakage  Current Idss, Ir/Icbo, Iceo Id–Vd ±20 mA @ 30002, 5 10 fA, 1 µV 0 .2% rdg + 1% rng
Gate/Base Leakage Current Igss, Ib Ig–Vg ±1 A or, ±10 A Pulsed 3 10 fA, 1 µV 0 .2% rdg + 1% rng
On-State Threshold Voltage or Cutoff Voltage
Vth, Vf, Vbeon, Vcesat Id–Vg ±200 V 3 10 fA, 1 µV 0 .2% rdg + 0 .5% rng
Forward Transfer Admittance or Forward Transconductance
|yfs| Gfs, Hfe, gain Vd–Id @ Vds 1 ms ~ 1000 s 6 1 pA, 1 µV 1%
On-State  Resistance RDS(on), Vcesat Vd–Vg @ Id <100 span=»» class=»font5″>Ω 7 10 µ, 1 µV 1%
Input Capacitance Ciss C–V 100 kHz 10 nF 8  ±200 V 10 fF, 10 µV Better than 1% at C<10 nf=»» td=»»>
Output Capacitance Coss C–V 100 kHz 10 nF 8  ±200 V 10 fF, 10 µV Better than 1% at C<10 nf=»» td=»»>
Reverse Transfer Capacitance Crss C–V 100 kHz 10 nF 8  ±200 V 10 fF, 10 µV Better than 1% at C<10 nf=»» td=»»>
1. Test method used for extracting the parameter. Only typical MOSFET listed, but similar method for other devices.
2. Model 2657A High Power System SourceMeter® SMU Instrument.
3. Model 2636A SourceMeter SMU Instrument or Model 4210-SMU.
4. Model 2651A High Power System SourceMeter SMU Instrument or optional dual Model 2651A High Power System SourceMeter SMU Instruments.
5. Maximum 20mA at 3000V, 120mA at 1500V.
6. Typical extracted capability (Example: 1mA/1V ~ 1A/1mV).
7. Typical extracted capability (Example: 1mV/10A).
8. Max. ±200VDC (±400VDC differential) bias with 4210-CVU and 4200-CVU-PWR.
Summary of Typical Tests
Device Leakage Breakdown  Gain On-State
Bipolar
Junction
Transistor
IEBO, IECO,
IEVEB, ICVCB
BVCBO, BVCEI,
BVCEO, BVCEV,
BVEBO, BVECO
HFE IBCO, IBEO, IBICVBE, IBVBE, ICBO, ICEV, ICVCE_BiasIB, ICVCE_BiasVB, ICVCE_StepIB, ICVCE_StepVB, VBCO, VCE
MOSFET IDL,
IDS_ISD,
IGL, ISL
BVDSS, BVDSV,
BVGDO, BVGDS,
BVGSO
GM IDVD_BiasVG, IDVD_StepVG, IDVG_BiasVD, IDVG_StepVD, IDVG_StepVSUB, IGVG, VTCI, VTEXT, VTEXT_IISQ
Diode IRDVRD VBRIRD NA DYNAMICZ, IFDVFD, VFDIFD, VRDIRD
Resistor NA NA NA IV
Capacitor IV NA
Formulator Function Summary
Type
Math ABS, AVG, DELTA, DIFF, EXP, LN, LOG, LOG10, SQRT
Parametric
Extractions
GMMAX, RES, RES_4WIRE, RES_AVG, SS, SSVTCI, TTF_DID_LGT, TTF_LGDID_T, TTF_DID_T, TTF_LGDID_LGT, VTCI, VTLINGM, VTSATGM
Fitting EXPFIT, EXPFITA, EXPFITB, LINFIT, LINFITSLP,
LINFITXINT, LINFITYINT, REGFIT, REGFITSLP, REGFITXINT, REGFITYINT, REGFIT_LGX_LGY, REGFIT_ LGX_Y, REGFIT_X_LGY, TANFIT, TANFITSLP,TANFITXINT, TANFITYINT
Manipulation AT, FINDD, FINDLIN, FINDU, FIRSTPOS, JOIN, LASTPOS, MAX, MAXPOS, MIN, MINPOX, POW, SMOOTH

Другие товары

Популярное

Производители

Решение ключевых задач при создании предприятия
по производству радиоэлектронной аппаратуры

Контакты

Оставьте заявку и мы обязательно с Вами свяжемся

143005, МО, Одинцово,
ул. Трехгорная, д. 4

8(495)580-85-38
info@radiotest.ru