Конфигурируемый характериограф Keithley PCT это готовая система для тестирования полупроводниковых устройств высокой мощности, включающая в себя высокого качества измерительные приборы, кабели, тестовые оснастки и ПО. Для заказа доступно 7 готовых конфигураций, каждая из которых обеспечивает построение графиков ВАХ и ВФХ в режиме реального времени для быстрого измерения основных параметров устройства, такие как напряжение пробоя и полный параметрический расчет характеристик устройства.
Краткие характеристики:
- Конфигурируемые диапазоны уровня мощности:
- От 200 В до 3 кВ
- От 1 фА до 100 А
- Широкий динамический даиапзон:
- От мкВ до 3 кВ
- От фА до 100 А
- Метод измерения вольт-фарадной характеристики:
- ±400 В многочастотное измерение вольт-фарадных характеристик
- 20 В низкочастотный метод измерения вольт-фарадной характеристики
- Измерение вольт-амперной характеристики на постоянном токе и импульсном до 50 мкс
- Оба канала высокого напряжения и высокого тока имеют прецизионный АЦП разрядностью 24 бита (18 бит в режиме высокой скорости дискретизации (1 мкс))
Применение:
- Снятие характеристик мощных полупроводниковых устройств
- Снятие характеристик GaN и SiC, LDMOS и др устройств
- Проверка надежности мощных устройств
- Входной контроль и квалификационные испытания
ACS Basic Edition Software quickly captures output characteristics of an IGBT device.
| Configuration Selector Guide | |||||
| Model 1 | Collector/ Drain Supply 2 | Step Generator Base/Gate Supply |
Auxiliary Supply | ||
| High Voltage Mode | High Current Mode | ||||
| Low Power | 2600-PCT-1 | 200 V/10 A | 200 V/10 A | 200 V/10 A | N/A |
| High Current | 2600-PCT-2 | 200 V/10 A | 40 V/50 A | 200 V/10 A | 200 V/10 A |
| 4200-PCT-2 plus C-V | 200 V/1 A | 40 V/50 A | 200 V/1 A | 200 V/1 A | |
| High Voltage | 2600-PCT-3 | 3 kV/120 mA | 200 V/10 A | 200 V/10 A | 200 V/10 A |
| 4200-PCT-3 plus C-V | 3 kV/120 mA | 200 V/1 A | 200 V/1 A | 200 V/1 A | |
| High Current and High Voltage |
2600-PCT-4 | 3 kV/120 mA | 40 V/50 A | 200 V/10 A | 200 V/10 A |
| 4200-PCT-4 plus C-V | 3 kV/120 mA | 40 V/50 A | 200 V/1 A | 200 V/1 A | |
| 1. Contact your Keithley field applications engineer for custom configurations 2. Add a Model 2651A to increase High Current Mode to either 50A or 100A. |
|||||
| Typical Power Transistor Parameters | |||||
| Parameter | symbol | Test Method 1 | Maximum range | Typical best resolution | Typical accuracy |
| Breakdown Voltage | Bvdss, Bvceo | Id–Vd or Id (pulse) | ±3000 V 2 | 100 µV, 10 fA | 0 .05% rdg + 0 .05% rng |
| On-State Current (DC) | Vdson, Vcesat, Vf | Id–Vd | ±20 A 4 , Optional: ±40 A 4 | 100 nA, 1 µV | 0 .05% rdg + 0 .05% rng |
| On-State Current (Pulse) | Vdson, Vcesat, Vf | Id–Vd | ±50 A 4, Optional: ±100 A4 | 100 µA, 1 µV | 0 .05% rdg + 0 .05% rng |
| Drain/Collector Leakage Current | Idss, Ir/Icbo, Iceo | Id–Vd | ±20 mA @ 30002, 5 | 10 fA, 1 µV | 0 .2% rdg + 1% rng |
| Gate/Base Leakage Current | Igss, Ib | Ig–Vg | ±1 A or, ±10 A Pulsed 3 | 10 fA, 1 µV | 0 .2% rdg + 1% rng |
| On-State Threshold Voltage or Cutoff Voltage | |||||
| Vth, Vf, Vbeon, Vcesat | Id–Vg | ±200 V 3 | 10 fA, 1 µV | 0 .2% rdg + 0 .5% rng | |
| Forward Transfer Admittance or Forward Transconductance | |||||
| |yfs| Gfs, Hfe, gain | Vd–Id @ Vds | 1 ms ~ 1000 s 6 | 1 pA, 1 µV | 1% | |
| On-State Resistance | RDS(on), Vcesat | Vd–Vg @ Id | <100 span=»» class=»font5″>Ω 7 | 10 µΩ, 1 µV | 1% |
| Input Capacitance | Ciss | C–V 100 kHz | 10 nF 8 ±200 V | 10 fF, 10 µV | Better than 1% at C<10 nf=»» td=»»> |
| Output Capacitance | Coss | C–V 100 kHz | 10 nF 8 ±200 V | 10 fF, 10 µV | Better than 1% at C<10 nf=»» td=»»> |
| Reverse Transfer Capacitance | Crss | C–V 100 kHz | 10 nF 8 ±200 V | 10 fF, 10 µV | Better than 1% at C<10 nf=»» td=»»> |
| 1. Test method used for extracting the parameter. Only typical MOSFET listed, but similar method for other devices. 2. Model 2657A High Power System SourceMeter® SMU Instrument. 3. Model 2636A SourceMeter SMU Instrument or Model 4210-SMU. 4. Model 2651A High Power System SourceMeter SMU Instrument or optional dual Model 2651A High Power System SourceMeter SMU Instruments. 5. Maximum 20mA at 3000V, 120mA at 1500V. 6. Typical extracted capability (Example: 1mA/1V ~ 1A/1mV). 7. Typical extracted capability (Example: 1mV/10A). 8. Max. ±200VDC (±400VDC differential) bias with 4210-CVU and 4200-CVU-PWR. |
|||||
| Summary of Typical Tests | |||||
| Device | Leakage | Breakdown | Gain | On-State | |
| Bipolar Junction Transistor |
IEBO, IECO, IEVEB, ICVCB |
BVCBO, BVCEI, BVCEO, BVCEV, BVEBO, BVECO |
HFE | IBCO, IBEO, IBICVBE, IBVBE, ICBO, ICEV, ICVCE_BiasIB, ICVCE_BiasVB, ICVCE_StepIB, ICVCE_StepVB, VBCO, VCE | |
| MOSFET | IDL, IDS_ISD, IGL, ISL |
BVDSS, BVDSV, BVGDO, BVGDS, BVGSO |
GM | IDVD_BiasVG, IDVD_StepVG, IDVG_BiasVD, IDVG_StepVD, IDVG_StepVSUB, IGVG, VTCI, VTEXT, VTEXT_IISQ | |
| Diode | IRDVRD | VBRIRD | NA | DYNAMICZ, IFDVFD, VFDIFD, VRDIRD | |
| Resistor | NA | NA | NA | IV | |
| Capacitor | IV | NA | |||
| Formulator Function Summary | |||||
| Type | |||||
| Math | ABS, AVG, DELTA, DIFF, EXP, LN, LOG, LOG10, SQRT | ||||
| Parametric Extractions |
GMMAX, RES, RES_4WIRE, RES_AVG, SS, SSVTCI, TTF_DID_LGT, TTF_LGDID_T, TTF_DID_T, TTF_LGDID_LGT, VTCI, VTLINGM, VTSATGM | ||||
| Fitting | EXPFIT, EXPFITA, EXPFITB, LINFIT, LINFITSLP, LINFITXINT, LINFITYINT, REGFIT, REGFITSLP, REGFITXINT, REGFITYINT, REGFIT_LGX_LGY, REGFIT_ LGX_Y, REGFIT_X_LGY, TANFIT, TANFITSLP,TANFITXINT, TANFITYINT |
||||
| Manipulation | AT, FINDD, FINDLIN, FINDU, FIRSTPOS, JOIN, LASTPOS, MAX, MAXPOS, MIN, MINPOX, POW, SMOOTH | ||||
